收藏本站
型号 IPB025N10N3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPB025N10N3 G PDF
代理商 IPB025N10N3 G
产品目录绘图 TO-263-7, N Channel
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 180A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 2.5 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.5V @ 275µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 206nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 14800pF @ 50V
功率 - 最大 300W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
供应商设备封装 PG-TO263-7
包装 标准包装
其它名称 IPB025N10N3 GDKR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPB025N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPB025N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPB027N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
IPB029N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
IPB029N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
IPB029N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
IPB029N06N3 G E8187 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
IPB030N08N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
IPB030N08N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
IPB030N08N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
IPB031NE7N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
IPB031NE7N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
IPB031NE7N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
IPB034N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3
IPB034N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3
IPB034N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3
IPB034N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
IPB034N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
IPB034N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
IPB034N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7